半导体多线切割
安吉昌研磨科技有限公司，成立于1997年，集研发、生产、销售于一体，坚持以客户需求为理念，一切让顾客满意为宗旨，锐意进取，持续创新。我们是专注于全球工业表面研磨的一站式解决方案服务商，公司研发生产的产品广泛应用于半导体、汽车、航空、3C电子，汽车，船舶等工业企业，尤其在半导体芯片研磨抛光领域大力投入，研发生产有研磨液、抛光液、切割液、抛光垫、清洗剂等系列产品，为半导体芯片的制造提供了可靠的基础耗材及服务解决方案。
半导体晶圆加工多线切割工艺
前几期，小编与大家分享了半导体碳化硅衬底制作过程中的研磨与抛光，接下来让我们看看
在研磨抛光之前，碳化硅衬底还需经历哪个步骤？
晶锭加工
晶锭加工将碳化硅晶锭进行定向切割，得到碳化硅晶棒，然后对其进行多线切割，最终得到碳化硅晶片。
多线切割碳化硅是一种利用钢线、砂浆和金刚石切割液对碳化硅晶锭进行高效切割的工艺。
碳化硅是一种高硬度、高脆性、耐磨性好、化学性质稳定的材料，使用传统的内圆切割或单线切割效率低，难以实现高质量的切割，这使得其切割过程中面临着以下几个难点：
· 碳化硅的高硬度导致切割速度慢，切割效率低，切割成本高。
· 碳化硅的高脆性导致切割过程中易产生裂纹、断裂等缺陷，影响切割质量和晶片完整性。
· 碳化硅的耐磨性导致砂浆切割液中的砂浆消耗大，切割液更换频繁，切割线寿命短。
· 碳化硅的化学性质稳定导致切割液中的氧化剂难以对其产生有效的化学反应，切割
液的选择范围小。
为了解决这些难点，便使用了多线切割工艺。
多线切割流程工艺是一种利用多根钢线和砂浆切割液对碳化硅晶锭进行切割的方法。可以同时切割多个碳化硅晶锭，提高切割效率和成品率，缩小切割缝隙，减少材料损失，降低切割成本。
多线切割还可以根据碳化硅晶锭的不同位置和切割长度，变化切割速度，实现分段不同速度进给，提高切割精度和表面质量。
它主要包括以下几个步骤：
绷片：在碳化硅衬底的背面贴上一层蓝色薄膜，固定在金属框架上，防止晶圆切割后散落。
切割：切割过程中，钢线在高速运动过程中带动切割液和碳化硅混合的砂浆进行摩擦，利用碳化硅的研磨作用达到切割效果。
清洗：将切割后的晶片用去离子水清洗，去除表面的砂浆和切割液残留物，提高晶片的表面质量。
安吉昌切割液
安吉昌切割液具有低刺激、低污染的特点，对人体、设备和环境无害。切削过程中，可以有效地散发切削热，降低切削温度，防止工件变形，提高切削效率，降低磨损，改善工件表面质量，提高加工精度。
同时，安吉昌切割液还可以清除切削过程中产生的切屑、磨屑、油污等杂质，防止其影响切削效果，保持切削区域的清洁。
同时，安吉昌切割液还可以清除切削过程中产生的切屑、磨屑、油污等杂质，防止其影响切削效果，保持切削区域的清洁。
安吉昌是专注于全球工业表面精密研磨的一站式解决方案服务商，公司研发生产的产品广泛应用于半导体晶圆制造中的切割、粗磨、精磨、粗抛、精抛等领域，生产有团聚液、单晶液、抛光液、切割液、抛光垫、清洗剂等系列产品，为半导体碳化硅衬底的制造提供了优质的基础耗材及服务解决方案。
